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东芝推出采用TOLL封装的650V第三代SiCMOSFET

[08月30日 10:24] 来源:盖世汽车 编辑:余梓阳   阅读量:8158   

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET,搭载其最新的第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备,例如开关电源和光伏发电机的功率调节器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”即日起批量出货。

这些新产品是东芝第三代SiC MOSFET,采用通用表面贴装TOLL封装,与TO-247和TO-247-4L等通孔封装相比,该封装可将器件体积缩小80%以上,并提高设备的功率密度。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗,有助于降低开关损耗。作为四端子封装,开尔文连接可用作栅极驱动的信号源端子。这降低了封装内源极线电感的影响,实现了高速开关性能;以TW048U65C为例,其导通损耗和关断损耗分别比东芝现有产品低约55%和25%,这将有助于降低设备的功率损耗。

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